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    Hi2825V100 Hi2825V100

    Hi2825V100

    高性能、低功耗星闪SLE多模SoC芯片
    未上市，发布策略待定

    Hi2825V100 是一款高度集成SLE SoC解决方案，集成高性能、SLE1.0和RF电路，RF包含功率放大器PA、低噪声放大器，天线以及电源等管理模块。星闪SLE 支持1M/2M/4M 3种带宽，物理层最大支持8Mbps速率。Hi2825V100集成高性能32bit微处理器（MCU），内置大容量SRAM和Flash，并支持在Flash上运行程序，支持硬件安全引擎以及丰富的外设接口。外设接口包括USB2.0 HighSpeed、SPI、UART、I2C、PWM、GPIO、PDM、I2S/PCM，支持 8 channel 12bit 4Msps SAR ADC和1 channel 16bit 1Msps SAR ADC（高性能）。 Hi2825V100 支持LiteOS，并配套提供完善的手册文档、开放易用的软件SDK及工具、详细硬件参考设计。Hi2825V100 SLE芯片可广泛应用于VR手柄/电竞键鼠/手写笔等HID外设、PC/平板/TV/机顶盒等消费电子产品。

    • 星闪极致互联和无线真4K

      超低时延，无线真4K回报率；2倍+抗干扰提升；12Mbps峰值体验（空口）

    • 三模和高集成度外设

      SLE1.0/USB2.0 支持星闪4K和有线8K回报率；16bit 高精度ADC

    • 高算力和大容量存储

      32位MCU，96MHz，支持浮点，内置512KB SRAM及1MB Flash

    • 优异的低功耗和安全特性

      uA级深睡功耗，MCU运行功耗低至uA/Hz级，内置安全启动, 支持国密等多种加密算法

    星闪极致互联

    提供超低时延空口，极致体验

    星闪SLE通过全新的物理层设计，支持更小的空口时隙，端到端时延大幅下降。采用基于Polar码的全新信道编码技术，获得超7dB的覆盖增益和抗干扰能力。支持基于中心调度的频谱资源分配，采用全新的信道扫描和选择机制，实现SLE快速跳频和信道优选，连接稳定性和数据传输可靠性大幅提升。星闪SLE支持更大的空口频宽和更高阶调制，空口传输速率能力相比传统短距技术大幅提升。

    三模联接、丰富外设

    SLE/USB 联接更多选择

    在星闪SLE极致连接的基础上，支持USB2.0 HighSpped，充分释放星闪无线性能，最高有线回报率可达到8KHz，让电竞性能充分发挥。集成16bit高精度SAR ADC，提供过采样和自动校准，可用于对压力/环境参数等各种物理采集。

    高算力、亚阈值超低功耗

    更高算力和资源、放心计算更省电

    RISC-V 开源MCU生态，支持浮点计算，内置1MB Flash, 无需外挂，内置512KB SRAM，满足大应用开销。 开放易用的软件SDK及工具、完善的手册文档，加速产品开发和测试验证、大大缩短产品上市时间。亚阈值超低功耗技术，使MCU运行功耗低至7uA/HZ，放心算更省电。Normal/Sleep/DeepSleep等多种工作休眠模式，深睡电流最低可达1.5uA。充分满足各类电池类场景长续航长待机需求。

    关键特性

    星闪
    • 星闪低功耗SLE1.0
    • 支持SLE 1MHz/2MHz/4MHz
    • 最大空口速率8Mbps
    • 支持Polar信道编码
    • 支持最大4K回报率
    • 支持无线帧类型1
    • 支持无线帧类型2
    MCU
    • 高性能RISC-V 32bit MCU
    • 工作频率96MHz
    • 内置512KB SRAM
    • 内置1MB Flash
    • 支持eFuse/国密SM4
    • 支持安全存储/安全启动
    外围接口
    • USB2.0 FS/HS、16bit SAR ADC、48 GPIO等
    • 晶体和振荡器：32MHz晶振、32KHz晶体、32KHz RC振荡器
    其他信息
    • 电源电压输入范围：2.5V~4.5V，典型值3.3V
    • 封装：
    TFBGA 6.7mmx7.3mmx0.91mm（Hi2825V100：适用于鼠标、键盘等可用大封装的产品）
    WLCSP 4.1mmx3.9mmx0.515mm（Hi2825WV100：适用于手写笔等需要小封装的产品） 
    • 工作温度：-30 ℃～85℃